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电离室离子复合

在脉冲式辐射场中，ks的推导建议使用双电压法。这里需要假定剂量仪读数（m）和所使用的偏压（v）之间存在线---。m1和m2分别是偏压为v1和v2的剂量仪读数。其中，矩阵电离室报价，v1是常用偏压，v2小于v1，矩阵电离室公司，一般v1/v2***3。此时，常压v1时的复合效应表达式为：

ks=a0+a1（m1/m2）+a2（m1/m2）2注意：因为ks与剂量率相关，故测定时，应使用剂量率。

电离室的数目

脉冲的变化率取决于漂移速度。电子的漂移速度约比正离子大三个量级，这就决定了在t≤x0/v-时间内，脉冲主要是电子脉冲的贡献。它构成脉冲的快成份，矩阵电离室，幅度与电离产生的地点有关。在x0/v-≤t -≤(d-x0)/v+时间内，主要是离子脉冲的贡献，这是脉冲的慢成分。但是输出的电压幅度只决定于原电离的总数目，与电离产生的地点无关。

不同类型的电离室构造

不同类型的电离室构造大致分为两种：一种是平板电离室，一种是圆柱型电离室。如下图所示：左侧为平板电离室，右侧为圆柱型电离室。电离室内电子和正离子的漂移，使得两电极上感生的电荷发生变化，从而形成电压或电流脉冲。这种脉冲始于离子对生成，终于离子对全部被收集。必须---：不能以为脉冲是由电子和离子被收集到电极上才形成的，这是不符合实际的。

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