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电离室离子复合

在脉冲式辐射场中，ks的推导建议使用双电压法。这里需要假定剂量仪读数（m）和所使用的偏压（v）之间存在线---。m1和m2分别是偏压为v1和v2的剂量仪读数。其中，v1是常用偏压，矩阵电离室，v2小于v1，一般v1/v2***3。此时，常压v1时的复合效应表达式为：

ks=a0+a1（m1/m2）+a2（m1/m2）2注意：因为ks与剂量率相关，故测定时，应使用剂量率。

不同类型的电离室构造

不同类型的电离室构造大致分为两种：一种是平板电离室，矩阵电离室公司，一种是圆柱型电离室。如下图所示：左侧为平板电离室，矩阵电离室厂家，右侧为圆柱型电离室。电离室内电子和正离子的漂移，使得两电极上感生的电荷发生变化，从而形成电压或电流脉冲。这种脉冲始于离子对生成，终于离子对全部被收集。必须---：不能以为脉冲是由电子和离子被收集到电极上才形成的，这是不符合实际的。

电离室对剂量仪

为将加速输出量波动影响降到较低，需要使用参考电离室对剂量仪读数进行修正。参考电离室放在测量电离室相同---，距离测量电离室3-4cm位置。

具体修正过程简述如下：使用双通道剂量仪（或两个独立的单通道剂量仪），一通道接测量用电离室；第二通道接参考电离室。一通道设置电压为v1（常规测量电压）；第二通道亦为v1。测量重复三次测得两个通道剂量仪读数平均值分别为m1和mref1。

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